單項選擇題原位雙剪法所用原位剪切儀主要技術指標中示值相對誤差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
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1.單項選擇題原位雙剪法同一墻體的各個測點之間，水平方向凈距不應小于（）。
A.0.5m
B.1.0m
C.1.5m
D.2.0m
2.單項選擇題原位雙剪法以下哪一部位可以布設測點（）。
A.門、窗洞口側(cè)邊100mm范圍內(nèi)
B.門、窗洞口側(cè)邊110mm范圍內(nèi)
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.門、窗洞口側(cè)邊130mm
3.單項選擇題原位雙剪法在測區(qū)內(nèi)選擇測點是，試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應為（）。
A.4-8mm
B.6-10mm
C.8-12mm
D.10-14mm
4.單項選擇題原位單剪法數(shù)據(jù)分析時，應根據(jù)測試儀表的校驗結(jié)果，進行荷載換算，并應精確到（）。
A.1N
B.5N
C.10N
D.15N
5.單項選擇題原位單剪法測量被測灰縫的受剪面尺寸，應精確到（）。
A.0.2mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.1mm
最新試題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題