單項選擇題原位單剪法數(shù)據(jù)分析時，應(yīng)根據(jù)測試儀表的校驗結(jié)果，進行荷載換算，并應(yīng)精確到（）。
A.1N
B.5N
C.10N
D.15N
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1.單項選擇題原位單剪法測量被測灰縫的受剪面尺寸，應(yīng)精確到（）。
A.0.2mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.1mm
2.單項選擇題原位單剪法在選定的墻體上，現(xiàn)澆鋼筋混凝土傳力件的混凝土強度等級不應(yīng)低于（）。
A.C15
B.C20
C.C25
D.C30
3.單項選擇題原位單剪法所用儀器設(shè)備，在檢測前應(yīng)標定荷載傳感器及數(shù)字荷載表，其示值相對誤差不應(yīng)大于（）。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
4.單項選擇題原位單剪法測試部位宜選在窗洞口或其他洞口下（）磚范圍內(nèi).
A.2皮
B.3皮
C.4皮
D.5皮
5.單項選擇題切制抗壓試件用水泥砂漿找平后，試件上下表面的砂漿應(yīng)在自然養(yǎng)護（）后，再進行抗壓測試。
A.3d
B.5d
C.8d
D.10d
最新試題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題