單項(xiàng)選擇題原位單剪法所用儀器設(shè)備,在檢測(cè)前應(yīng)標(biāo)定荷載傳感器及數(shù)字荷載表,其示值相對(duì)誤差不應(yīng)大于()。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
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1.單項(xiàng)選擇題原位單剪法測(cè)試部位宜選在窗洞口或其他洞口下()磚范圍內(nèi).
A.2皮
B.3皮
C.4皮
D.5皮
2.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件用水泥砂漿找平后,試件上下表面的砂漿應(yīng)在自然養(yǎng)護(hù)()后,再進(jìn)行抗壓測(cè)試。
A.3d
B.5d
C.8d
D.10d
3.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件運(yùn)至試驗(yàn)室后,試件上下表面修理平整,頂面應(yīng)用()找平。
A.1:1水泥砂漿
B.1:2水泥砂漿
C.1:3水泥砂漿
D.1:4水泥砂漿
4.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件法所選用的長(zhǎng)柱壓力試驗(yàn)機(jī),其精度(示值的響度誤差)不應(yīng)大于()。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
5.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件法的測(cè)試設(shè)備,切割墻體豎向通縫的切割機(jī),以下哪個(gè)不符合要求()。
A.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于240mm
B.機(jī)架應(yīng)有足夠的強(qiáng)度、剛度、穩(wěn)定性
C.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于370mm
D.切割機(jī)宜配備水冷卻系統(tǒng)
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題