單項選擇題切制抗壓試件法所選用的長柱壓力試驗機,其精度(示值的響度誤差)不應大于()。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
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1.單項選擇題切制抗壓試件法的測試設備,切割墻體豎向通縫的切割機,以下哪個不符合要求()。
A.切割機的鋸切深度不應小于240mm
B.機架應有足夠的強度、剛度、穩(wěn)定性
C.切割機的鋸切深度不應小于370mm
D.切割機宜配備水冷卻系統(tǒng)
2.單項選擇題當宏觀檢測墻體的砌筑質量差或砌筑砂漿強度等級低于()時,不宜選用切制抗壓試件法。
A.M2.5
B.M5.0
C.M7.5
D.M10
3.單項選擇題扁頂法測試砌體受壓彈性模量時,累計加荷的應力上限不應大于槽間砌體極限抗壓強度的()。
A.30%
B.50%
C.60%
D.80%
4.單項選擇題砌體工程現場檢測時,原位軸壓法試驗正式測試時,應分級加載,以下說法不正確的是()。
A.每級荷載可取預估破壞荷載的10%
B.應在1min~1.5mim內均勻加完,然后恒載2min
C.加荷至預估破壞荷載的80%后,應按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
D.加荷至預估破壞荷載的90%后,應按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
5.單項選擇題扁頂法實測墻體的受壓彈性模量時,在完成墻體的受壓工作應力測試后,當選用250³250mm扁頂時,開鑿第二水平槽普通磚砌體兩槽之間的距離應相隔()磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題