單項(xiàng)選擇題砌體工程現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)時(shí)，原位軸壓法試驗(yàn)正式測(cè)試時(shí)，應(yīng)分級(jí)加載，以下說法不正確的是（）。
A.每級(jí)荷載可取預(yù)估破壞荷載的10%
B.應(yīng)在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完，然后恒載2min
C.加荷至預(yù)估破壞荷載的80%后，應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞
D.加荷至預(yù)估破壞荷載的90%后，應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞
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1.單項(xiàng)選擇題扁頂法實(shí)測(cè)墻體的受壓彈性模量時(shí)，在完成墻體的受壓工作應(yīng)力測(cè)試后，當(dāng)選用250³250mm扁頂時(shí)，開鑿第二水平槽普通磚砌體兩槽之間的距離應(yīng)相隔（）磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
2.單項(xiàng)選擇題扁頂法正式測(cè)試時(shí)，應(yīng)分級(jí)加荷，每級(jí)荷載應(yīng)為預(yù)估破壞荷載的（）。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
3.單項(xiàng)選擇題扁頂法正式測(cè)試前，應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的（）進(jìn)行加荷載測(cè)試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
4.單項(xiàng)選擇題扁頂法使用手持應(yīng)變儀測(cè)量砌體變形讀數(shù)時(shí)，應(yīng)測(cè)量（），并應(yīng)取其平均值。
A.2次
B.3次
C.4次
D.6次
5.單項(xiàng)選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中極限壓力應(yīng)為（）。
A.380kN
B.400kN
C.450kN
D.480kN
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題