A、塌落擴(kuò)展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
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A、外加劑
B、水泥
C、石子
D、水
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、鋼墊板
C、成型試模
D、砼抗?jié)B儀
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、砼振動(dòng)臺(tái)
C、微變形測(cè)量?jī)x
D、砼坍落度儀
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、砼抗?jié)B儀
C、微變形測(cè)量?jī)x
D、鋼板尺
A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長(zhǎng)、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()