多項(xiàng)選擇題砼力學(xué)性能試驗(yàn)的儀器設(shè)備包括有（）。

A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、砼抗?jié)B儀
C、微變形測量儀
D、鋼板尺


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題砼力學(xué)性能試件的尺寸構(gòu)造有公差要求的包括有（）。

A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度

2.多項(xiàng)選擇題以下（）尺寸和形狀的試件是砼抗折強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)試件。

A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體

3.多項(xiàng)選擇題以下（）尺寸和形狀的試件可用作砼抗折強(qiáng)度試件。

A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ200×400mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體

4.多項(xiàng)選擇題以下（）尺寸和形狀的試件是砼靜力受壓彈性模量非標(biāo)準(zhǔn)試件。

A、200×200×400mm棱柱體
B、Φ200×400mm圓柱體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、100×100×300mm棱柱體

5.多項(xiàng)選擇題以下（）尺寸和形狀的試件可用作砼軸心抗壓強(qiáng)度試件。

A、200×200×400mm棱柱體
B、100×100×300mm棱柱體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、200×200×600mm棱柱體

最新試題

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

題型：單項(xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項(xiàng)選擇題

硅片拋光在原理上不可分為（）

題型：單項(xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型：單項(xiàng)選擇題

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

題型：單項(xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。

題型：單項(xiàng)選擇題

PN結(jié)的基本特性是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

題型：單項(xiàng)選擇題