A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度
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下列哪個不是單晶常用的晶向()
硅片拋光在原理上不可分為()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
改良西門子法的顯著特點不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
PN結(jié)的基本特性是()