氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。