膜層與基片的結(jié)合強度相比較：（）。

氣相生長的基本原理：氣相原子或分子運動到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺階運動蔓延整個表面，便生長一層晶體薄膜。

下列哪種方法不屬于化學反應(yīng)沉積鍍膜法？（）

梯度功能材料的主要特征有（）

適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進行外延生長的方法是（）

關(guān)于液相燒結(jié)正確的說法有（）

屬于影響成核過程的因素有（）

晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。