你可能感興趣的試題

判斷題
利用熱電偶的電勢(shì)與加熱元件的溫度有關(guān)，元件的溫度又與氣體的熱傳導(dǎo)有關(guān)，熱傳導(dǎo)量又與壓力成反比的原理來(lái)測(cè)量真空度的真空計(jì)。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設(shè)備稱為真空獲得設(shè)備或真空泵。
答案：正確
判斷題
靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。
答案：正確
判斷題
表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結(jié)構(gòu)變化，這種情況稱為馳豫。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。
答案：正確
判斷題
共價(jià)晶體不需考慮長(zhǎng)程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。
答案：正確
判斷題
界面化學(xué)是以均勻體系內(nèi)相與相的界面上發(fā)生的物理化學(xué)變化規(guī)律及體相與表相的相互影響關(guān)系為研究對(duì)象。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
晶界不會(huì)對(duì)離子擴(kuò)散的選擇性具有增強(qiáng)作用。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
間隙擴(kuò)散、空位擴(kuò)散、環(huán)形擴(kuò)散機(jī)理都是通過(guò)點(diǎn)缺陷而進(jìn)行的體擴(kuò)散。
答案：正確

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在電離真空計(jì)中，電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。

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利用熱電偶的電勢(shì)與加熱元件的溫度有關(guān)，元件的溫度又與氣體的熱傳導(dǎo)有關(guān)，熱傳導(dǎo)量又與壓力成反比的原理來(lái)測(cè)量真空度的真空計(jì)。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設(shè)備稱為真空獲得設(shè)備或真空泵。

靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結(jié)構(gòu)變化，這種情況稱為馳豫。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。

共價(jià)晶體不需考慮長(zhǎng)程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

界面化學(xué)是以均勻體系內(nèi)相與相的界面上發(fā)生的物理化學(xué)變化規(guī)律及體相與表相的相互影響關(guān)系為研究對(duì)象。

晶界不會(huì)對(duì)離子擴(kuò)散的選擇性具有增強(qiáng)作用。

間隙擴(kuò)散、空位擴(kuò)散、環(huán)形擴(kuò)散機(jī)理都是通過(guò)點(diǎn)缺陷而進(jìn)行的體擴(kuò)散。

在電離真空計(jì)中，電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。

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利用熱電偶的電勢(shì)與加熱元件的溫度有關(guān)，元件的溫度又與氣體的熱傳導(dǎo)有關(guān)，熱傳導(dǎo)量又與壓力成反比的原理來(lái)測(cè)量真空度的真空計(jì)。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設(shè)備稱為真空獲得設(shè)備或真空泵。

靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結(jié)構(gòu)變化，這種情況稱為馳豫。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。

共價(jià)晶體不需考慮長(zhǎng)程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

界面化學(xué)是以均勻體系內(nèi)相與相的界面上發(fā)生的物理化學(xué)變化規(guī)律及體相與表相的相互影響關(guān)系為研究對(duì)象。

晶界不會(huì)對(duì)離子擴(kuò)散的選擇性具有增強(qiáng)作用。

間隙擴(kuò)散、空位擴(kuò)散、環(huán)形擴(kuò)散機(jī)理都是通過(guò)點(diǎn)缺陷而進(jìn)行的體擴(kuò)散。

在電離真空計(jì)中，電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。

利用熱電偶的電勢(shì)與加熱元件的溫度有關(guān)，元件的溫度又與氣體的熱傳導(dǎo)有關(guān)，熱傳導(dǎo)量又與壓力成反比的原理來(lái)測(cè)量真空度的真空計(jì)。

靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結(jié)構(gòu)變化，這種情況稱為馳豫。

共價(jià)晶體不需考慮長(zhǎng)程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

界面化學(xué)是以均勻體系內(nèi)相與相的界面上發(fā)生的物理化學(xué)變化規(guī)律及體相與表相的相互影響關(guān)系為研究對(duì)象。

晶界不會(huì)對(duì)離子擴(kuò)散的選擇性具有增強(qiáng)作用。

間隙擴(kuò)散、空位擴(kuò)散、環(huán)形擴(kuò)散機(jī)理都是通過(guò)點(diǎn)缺陷而進(jìn)行的體擴(kuò)散。