CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動。

簡述雜質(zhì)對擴散的影響。

反應(yīng)氣體或生成物通過邊界層，是以擴散的方式來進(jìn)行的，而使氣體分子進(jìn)行擴散的驅(qū)動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質(zhì)產(chǎn)生多型相變或發(fā)生不同物質(zhì)間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考?、沉積反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

低壓下從石墨轉(zhuǎn)變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進(jìn)行的反應(yīng)，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應(yīng)的推動來實現(xiàn)。

簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設(shè)備稱為真空獲得設(shè)備或真空泵。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。