在一本征硅中，摻入施主雜質(zhì)，其濃度ND=2×1014cm-3。
（1）求室溫300K時(shí)自由電子和空穴的熱平衡濃度值，并說明半導(dǎo)體為P型或N型。
（2 ）若再摻入受主雜質(zhì)，其濃度NA=3×1014cm-3，重復(fù)（1）。
（3）若ND=NA=1015cm-3，重復(fù)（1）。
（4）若ND=1016cm-3，NA=1014cm-3，重復(fù)（1）。
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A.對(duì)電壓信號(hào)有極好的放大作用
B.對(duì)電流信號(hào)有極好的放大作用
C.有較高的輸入輸出電阻
D.可用作電流跟隨器
A.過程描述方式
B.行為描述方式
C.數(shù)據(jù)流描述方式
D.尋跡描述方式
A.高，高
B.高，低
C.低，高
D.低，低
?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過程中，該同學(xué)觀測(cè)到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請(qǐng)問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
A.高電平，高電平
B.低電平，高電平
C.高電平，低電平
D.低電平，低電平
A.999.9MHz
B.99.99MHz
C.9999Hz
D.999.9KHz
A.27
B.30
C.25
D.10
A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET
A./*...*/
B.{...}
C.begin...end
D.module...endmodule
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過電容耦合進(jìn)行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。
?
A.10
B.15
C.12.5
D.8
最新試題
?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過程中，該同學(xué)觀測(cè)到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請(qǐng)問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
?10進(jìn)制計(jì)數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊？（）
CG放大器因其輸入電阻過小，因此沒什么用處。
?CS、CG和CD三種組態(tài)中，最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用，和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有（）。
一塊通用面包板，公共條是三?四?三分段連通型，那么這塊板上最多有（）個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
在對(duì)數(shù)字鐘計(jì)時(shí)、校時(shí)模塊進(jìn)行仿真時(shí)，設(shè)秒信號(hào)的周期為10ns，若要觀察24時(shí)制計(jì)數(shù)是否正確，那么在復(fù)位信號(hào)無效，計(jì)時(shí)使能信號(hào)有效的情況下，仿真需運(yùn)行多長(zhǎng)時(shí)間？（）
?數(shù)字頻率計(jì)采用4個(gè)數(shù)字的BCD碼計(jì)數(shù)器，若采樣時(shí)間0.01s，那么它能夠測(cè)量的最大頻率是多少？（）
?6位7段數(shù)碼管動(dòng)態(tài)顯示模塊如圖，要求人眼看到所有數(shù)碼管同時(shí)顯示各自對(duì)應(yīng)的數(shù)字，控制數(shù)碼管位選信號(hào)的動(dòng)態(tài)掃描時(shí)鐘信號(hào)頻率約為多少？（）
?CS放大器中引入源極電阻RS，其作用有（）。?