單項(xiàng)選擇題實(shí)現(xiàn)晶體三極管截止的條件是()。

A.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏
B.發(fā)射結(jié),集電結(jié)均正偏
C.發(fā)射極,集電結(jié)均反偏
D.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏


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1.單項(xiàng)選擇題如果二極管的反向電阻都很小或者為零,則該二極管()。

A.正常
B.短路
C.斷路
D.被擊穿

2.單項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體材料中,其說(shuō)法正確的是()。

A.P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體材料本身不帶電
B.P型半導(dǎo)體中,由于多數(shù)載流子為空穴,所以它帶正電
C.N型半導(dǎo)體中,由于多數(shù)載流子為自由電子,所以它帶負(fù)電
D.N型半導(dǎo)體中,由于多數(shù)載流子為空穴,所以它帶負(fù)電

4.單項(xiàng)選擇題將PN結(jié)兩端加反向電壓時(shí),在PN結(jié)內(nèi)參與導(dǎo)電的是()。

A.空穴
B.自由電子
C.自由電荷
D.空穴和自由電子

最新試題

以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號(hào)處理系統(tǒng)的最后一級(jí)??()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過(guò)電容耦合進(jìn)行傳輸(注意圖中未畫(huà)出電容),要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

?電路如圖所示,如果電容C2開(kāi)路,則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)(),漏極交流電壓將會(huì)(),增益將會(huì)()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

CG放大器因其輸入電阻過(guò)小,因此沒(méi)什么用處。

題型:判斷題

?已知Nexys4開(kāi)發(fā)板外部時(shí)鐘信號(hào)頻率為100MHz,數(shù)字鐘用來(lái)產(chǎn)生秒信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)頻率為1Hz,若采用計(jì)數(shù)器對(duì)100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號(hào),請(qǐng)問(wèn)該計(jì)數(shù)器至少需要多少位?()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

用作電壓放大器時(shí),CS放大器不合適的參數(shù)為()。?

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

當(dāng)VGS=0時(shí),能夠?qū)ǖ腗OS管為()

題型:多項(xiàng)選擇題

現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個(gè)加數(shù),ci為來(lái)自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義:下面通過(guò)層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

CD放大器具有較()的輸入電阻和較()的輸出電阻。?????

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大,溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???

題型:判斷題