共集-共基組合電路如圖所示。已知兩個(gè)晶體管參數(shù)相同:rbb=0,rbe=1kΩ,β=100,rce=∞。各電容對(duì)信號(hào)可視為短路。
(1)計(jì)算輸入電阻Ri、輸出電阻Ro。
(2)計(jì)算電壓增益
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?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測(cè)頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)?()
?CG放大器的性能描述合理的是()。
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
CD放大器具有較()的輸入電阻和較()的輸出電阻。?????
?某次電路實(shí)驗(yàn)中,一同學(xué)按如下電路圖連接電路,完成實(shí)驗(yàn)。其中D0,D1端為輸入端,S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,該同學(xué)觀測(cè)到輸出端S0,S1端輸出電平分別為邏輯高電平,邏輯低電平。請(qǐng)問(wèn)此刻電路輸入端D0,D1電平可能分別為()。
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門(mén)級(jí)原型的符號(hào)有()。
?若某放大器的輸入信號(hào)為電壓信號(hào),輸出信號(hào)為電流信號(hào),則以下描述正確的有()。?
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用,和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有()。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
?電路如圖所示,如果電容C2開(kāi)路,則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)(),漏極交流電壓將會(huì)(),增益將會(huì)()。