問(wèn)答題
硅晶體管電路如圖所示。設(shè)晶體管的UBE(on)=0.7V,β=100。判別電路的工作狀態(tài)。
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最新試題
?電路如圖所示,如果電容C2開(kāi)路,則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)(),漏極交流電壓將會(huì)(),增益將會(huì)()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可以通過(guò)新增以下哪些類(lèi)型文件添加ChipScope調(diào)試IP核?()
題型:多項(xiàng)選擇題
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合,則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí),柵極直流電壓將會(huì)(),漏極直流電流將會(huì)(),輸入電阻將會(huì)()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?verilog語(yǔ)法中,間隔符號(hào)主要包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
?verilogHDL的基本結(jié)構(gòu)中通常需要進(jìn)行模塊范圍的定義,VerilogHDL的模塊范圍的定義的開(kāi)始和結(jié)束方式是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?CS放大器中引入源極電阻RS,其作用有()。?
題型:多項(xiàng)選擇題
?若某放大器的輸入信號(hào)為電壓信號(hào),輸出信號(hào)為電流信號(hào),則以下描述正確的有()。?
題型:多項(xiàng)選擇題
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用,和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
題型:判斷題
?10進(jìn)制計(jì)數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊?()
題型:多項(xiàng)選擇題