已知晶體管工作在線(xiàn)性放大區(qū),并測(cè)得個(gè)電極對(duì)地電位如圖所示。試畫(huà)出各晶體管的電路符號(hào),確定每管的b、e、c極,并說(shuō)明是鍺管還是硅管。
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在對(duì)數(shù)字鐘計(jì)時(shí)、校時(shí)模塊進(jìn)行仿真時(shí),設(shè)秒信號(hào)的周期為10ns,若要觀(guān)察24時(shí)制計(jì)數(shù)是否正確,那么在復(fù)位信號(hào)無(wú)效,計(jì)時(shí)使能信號(hào)有效的情況下,仿真需運(yùn)行多長(zhǎng)時(shí)間?()
現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個(gè)加數(shù),ci為來(lái)自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義:下面通過(guò)層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門(mén)級(jí)原型的符號(hào)有()。
MOSFET做放大器,要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
一塊通用面包板,公共條是三?四?三分段連通型,那么這塊板上最多有()個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
?若某放大器的輸入信號(hào)為電壓信號(hào),輸出信號(hào)為電流信號(hào),則以下描述正確的有()。?
I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過(guò)電容耦合進(jìn)行傳輸(注意圖中未畫(huà)出電容),要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?
用作電壓放大器時(shí),CS放大器不合適的參數(shù)為()。?
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為()。