單項(xiàng)選擇題某磁盤有兩個(gè)盤片，10，000個(gè)柱面，每條磁道平均有400個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)有512個(gè)字節(jié)，則該磁盤有（）個(gè)磁道。

A.20，000
B.40，000
C.8，192，000，000
D.2


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1.單項(xiàng)選擇題非易失性存儲器不包括 （）

A.PROM
B.EEPROM
C.固態(tài)硬盤
D.高速緩存

2.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于DRAM和SRAM說法錯(cuò)誤的是（）

A.DRAM將每個(gè)位存儲為對一個(gè)電容的充電
B.SRAM對光干擾敏感，對電干擾不敏感
C.SRAM主要用于高速緩存
D.SRAM具有雙穩(wěn)態(tài)特性

3.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于DRAM和SRAM說法正確的是（）

A.DRAM具有雙穩(wěn)態(tài)特性
B.SRAM將每個(gè)位存儲為對一個(gè)電容的充電
C.DRAM主要用于主存，幀緩沖區(qū)
D.SRAM對干擾非常敏感

4.單項(xiàng)選擇題以下哪些措施可能提高程序并行性（）

A.循環(huán)展開
B.創(chuàng)建多個(gè)累積變量
C.重新變換結(jié)合
D.以上都是

5.單項(xiàng)選擇題（）是兩次運(yùn)算之間間隔的最小周期數(shù)。

A.丟包
B.吞吐量
C.發(fā)射時(shí)間
D.延遲