A.PROM
B.EEPROM
C.固態(tài)硬盤
D.高速緩存
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A.DRAM將每個(gè)位存儲(chǔ)為對(duì)一個(gè)電容的充電
B.SRAM對(duì)光干擾敏感,對(duì)電干擾不敏感
C.SRAM主要用于高速緩存
D.SRAM具有雙穩(wěn)態(tài)特性
A.DRAM具有雙穩(wěn)態(tài)特性
B.SRAM將每個(gè)位存儲(chǔ)為對(duì)一個(gè)電容的充電
C.DRAM主要用于主存,幀緩沖區(qū)
D.SRAM對(duì)干擾非常敏感
A.循環(huán)展開(kāi)
B.創(chuàng)建多個(gè)累積變量
C.重新變換結(jié)合
D.以上都是
A.丟包
B.吞吐量
C.發(fā)射時(shí)間
D.延遲
A.丟包
B.發(fā)射時(shí)間
C.延遲
D.吞吐量
最新試題
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)(1)對(duì)于同一個(gè)數(shù)值,它的()與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同,符號(hào)位相反。(2)浮點(diǎn)數(shù)用()表示數(shù)據(jù)。(3)小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動(dòng)的數(shù)據(jù)稱為()。(4)浮點(diǎn)數(shù)的溢出,是由其()是否溢出表現(xiàn)出來(lái)的。(5)在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位,將最高位的1移走,從而提高數(shù)值的精度,這項(xiàng)處理稱之為()。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.并行B.串行C.端口D.接口E.輸出指令F.輸入指令(1)近距離設(shè)備與主機(jī)間傳輸數(shù)據(jù),適合選用()接口。(2)遠(yuǎn)程終端及計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等遠(yuǎn)離主機(jī)的設(shè)備傳輸信息,更適合選用()接口。(3)接口與端口是兩個(gè)不同的概念,()是指接口電路中可以被CPU直接訪問(wèn)的寄存器。(4)CPU通過(guò)()可以從有關(guān)端口讀取信息。(5)CPU也可以通過(guò)()把信息寫入有關(guān)端口。
將十進(jìn)制數(shù)(-0.288)10轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制數(shù),要求小數(shù)點(diǎn)后保留7位數(shù)值位,正確結(jié)果為()。
在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級(jí)層次結(jié)構(gòu)中,用機(jī)器指令編寫的程序可以由()進(jìn)行解釋。
()是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù),是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來(lái)存儲(chǔ)信息的。
由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來(lái)實(shí)現(xiàn)的做法被稱為()
將十六進(jìn)制數(shù)(1A5)16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。
()又稱字選法,所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器是字結(jié)構(gòu)的。