單項選擇題以下關(guān)于DRAM和SRAM說法正確的是（）

A.DRAM具有雙穩(wěn)態(tài)特性
B.SRAM將每個位存儲為對一個電容的充電
C.DRAM主要用于主存，幀緩沖區(qū)
D.SRAM對干擾非常敏感


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1.單項選擇題以下哪些措施可能提高程序并行性（）

A.循環(huán)展開
B.創(chuàng)建多個累積變量
C.重新變換結(jié)合
D.以上都是

2.單項選擇題（）是兩次運算之間間隔的最小周期數(shù)。

A.丟包
B.吞吐量
C.發(fā)射時間
D.延遲

3.單項選擇題（）是執(zhí)行實際運算所需要的時鐘周期總數(shù)。

A.丟包
B.發(fā)射時間
C.延遲
D.吞吐量

4.單項選擇題現(xiàn)代微處理器有兩個主要部分：指令控制單元和執(zhí)行單元。不屬于指令控制單元的是（）

A.指令高速緩存
B.退役單元
C.分支寄存器
D.指令譯碼

5.單項選擇題以下哪項無法優(yōu)化程序性能（）

A.消除循環(huán)的低效率
B.減少過程調(diào)用
C.消除不必要的存儲器使用
D.適當添加注釋