TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）

小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）

兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。

如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。

用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。

采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。

雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路？請(qǐng)說明理由。

一個(gè)兩輸入端的門電路，當(dāng)輸入為10時(shí)，輸出不是1的門電路為（）

如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D，則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的（）。

（）在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用，其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。