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問答題 電路如圖所示。設(shè)u_i是正弦信號(hào)，晶體管工作在放大區(qū)，各電容對(duì)信號(hào)可視作短路。
（1）試畫出與ui相對(duì)應(yīng)的u_BE、B_i、C_i和u_CE的波形。
（2）將圖中的晶體管改成PNP管，U_CC改成負(fù)電源，重復(fù)（1）。

參考答案：

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1.問答題設(shè)計(jì)一個(gè)分壓式電流負(fù)反饋偏置放大電路。技術(shù)要求是：溫度在-55~125℃范圍內(nèi)變化時(shí)，要求1mA≤I_c≤1.15mA和5V≤U_CE≤6V，R_C=1.5kΩ，U_CC=12V。BJT的參數(shù)是：T=55℃時(shí)，β=60，U_BE=0.88V；T=125℃時(shí)，β=150，U_BE=0.48V。

參考答案：

2.問答題 晶體管電路如圖所示。已知β＝100，U_BE＝-0.3V。
（1）估算直流工作點(diǎn)I_CQ、U_CEQ。
（2）若偏置電阻R_B1、R_B2分別開路，試分別估算集電極電位U_C值，并說明各自的工作狀態(tài)。
（3）若R_B2開路時(shí)要求I_CQ＝2mA，試確定R_B1應(yīng)取多大值。

參考答案：

3.問答題 如圖（a）、（b）所示分別為固定偏置和分壓式電流負(fù)反饋偏置放大電路。兩個(gè)電路中的晶體管相同，U_BE（on）=0.6V。在20℃時(shí)晶體管的β=50，55℃時(shí)，β=70。試分別求兩種電路在20℃時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)，以及溫度升高到55℃時(shí)由于β的變化引起I_CQ的改變程度。

參考答案：

4.問答題 硅晶體管電路如圖所示。設(shè)晶體管的U_BE（on）=0.7V，β=100。判別電路的工作狀態(tài)。

參考答案：

5.問答題 某晶體管的共射輸出特性曲線如圖所示。
（1）求I_BQ=0.3mA時(shí)，Q₁、Q₂點(diǎn)的β值。
（2）確定該管的U_（BR）CEO和P_CM。

參考答案：（1）Q₁點(diǎn)：β≈50，Q₂點(diǎn)：β&asym...

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