晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。