半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。