A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.飽和區(qū)
D.以上都可以
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A.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏
B.發(fā)射結(jié),集電結(jié)均正偏
C.發(fā)射極,集電結(jié)均反偏
D.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏
A.正常
B.短路
C.斷路
D.被擊穿
A.P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體材料本身不帶電
B.P型半導(dǎo)體中,由于多數(shù)載流子為空穴,所以它帶正電
C.N型半導(dǎo)體中,由于多數(shù)載流子為自由電子,所以它帶負(fù)電
D.N型半導(dǎo)體中,由于多數(shù)載流子為空穴,所以它帶負(fù)電
由理想二極管組成的電路如圖所示,其A、B兩端的電壓為()。
A.+6V
B.-6V
C.-18V
D.+18V
A.空穴
B.自由電子
C.自由電荷
D.空穴和自由電子
最新試題
MOSFET做放大器,要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核?()
?MOSFET源極漏極間的長度L越大,溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個加數(shù),ci為來自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義:下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。
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以下哪個MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級??()
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