改良西門子法的顯著特點不包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）