CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

可用作硅片的研磨材料是（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）