如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。