單項選擇題筒壓法在每一個測區(qū)，應(yīng)從距墻表面（）以里的水平灰縫中鑿取砂漿約4000g。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
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1.單項選擇題推出法旋轉(zhuǎn)加荷桿對試件施加荷載時，加荷速度宜控制在（）。
A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
2.單項選擇題切制試件法的測試步驟中，以下哪個不正確（）。
A.試件搬運過程中，應(yīng)防止碰撞，并應(yīng)采取減小振動的措施
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿，并應(yīng)伸進(jìn)撬棍，應(yīng)將水平灰縫撬松動，然后應(yīng)小心抬出試件
D.需要長距離運輸試件時，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
3.單項選擇題推出法所用推出儀的主要技術(shù)指標(biāo)中額定行程為（）。
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
4.單項選擇題推出法選擇測點時被推丁磚下的水平灰縫厚度應(yīng)為（）。
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
5.單項選擇題推出法適用于推定（）厚燒結(jié)普通磚、燒結(jié)多孔磚的砌筑砂漿強(qiáng)度。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題