A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
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A.試件搬運過程中，應防止碰撞，并應采取減小振動的措施
B.應鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應適當鑿取試件底部砂漿，并應伸進撬棍，應將水平灰縫撬松動，然后應小心抬出試件
D.需要長距離運輸試件時，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
A.使用手持應變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時，應測量3次，并應取其平均值
B.槽的四周應清理平整，并應除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
D.開槽時不應操作測點部位的墻體及變形測量腳標
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。