多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗凍融試驗箱的溫控要求，正確的有（）。
A、冷凍期間箱內(nèi)溫度應(yīng)能保證在（-20～-18）℃范圍
B、融化期間箱內(nèi)浸泡砼試件的水溫應(yīng)能保證在（18～20）℃范圍
C、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應(yīng)超過2℃
D、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應(yīng)超過5℃
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1.多項選擇題快凍法砼抗凍試驗試件的形狀，不正確的有（）。
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
2.多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗試件的形狀，不正確的有（）。
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
3.多項選擇題快凍法砼抗凍試驗試件的凍融介質(zhì)，不正確的有（）。
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
4.多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗試件的凍融介質(zhì)，不正確的有（）。
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
5.多項選擇題《普通砼長期性能和耐久性能試驗方法標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50082-2009標(biāo)準(zhǔn)抗凍試驗的試驗方法有（）。
A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
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硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
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下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
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最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
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題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題