A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
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A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
A、小于C60強(qiáng)度等級時為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級時為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級時為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級時應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、試驗(yàn)?zāi)芊竦玫接行ЫY(jié)果，尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個試件測值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
C、同組3個試件測值中，最大值或最小值如有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%時，取中間值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
A、抗折試驗(yàn)過程中，加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗(yàn)過程中，加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗(yàn)過程中，加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗(yàn)過程中，因砼抗拉性能差，加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
A、＜C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.02～0.05MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.05～0.08MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.08～0.10MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都不對
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為（）
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。