如圖所示的電路，已知：R_b=200K，R_c1=5.1K，R_c2=2.2K，R_e1=1K，R_e2=2K，R_f=19K，試求：
（1）在電路圖上標出瞬時極性，并指出何種類型的交流反饋？
（2）負反饋對放大電路性能起什么作用；
（3）電路的反饋系數(shù)多大？
（4）在深度負反饋條件下，該電路的電壓放大倍數(shù)是多少？

電路如圖所示，其中A₁、A₂、A₃、A₄均為理想運放，試推導出輸出電壓u_O與輸入電壓u_I1、u_I2的關(guān)系式。

如圖所示電路中，設(shè)電路中V_CC＝12V，各個電容的容量足夠大，R_b1＝Rc＝R_L＝5kΩ，R_b2＝25kΩ，Re＝1kΩ，R_f＝300Ω，晶體管的β＝100，U_BE＝0.7V，r_bb’＝100Ω。
（1）估算電路靜態(tài)工作點。
（2）計算電壓放大倍數(shù)Au、輸入電阻R_i和輸出電阻Ro。

如下圖所示的電路中，已知電源電壓V_CC=20V，R_d=10K，R_S=10K，R_L=10K，R_G1=200K，R_G2=51K，R_G=1M，g_m=1.2mA/V，I_DSS=0.9mA，V_P=-4V，電容C₁，C₂，C₃均足夠大。
試求：
（1）寫出計算靜態(tài)工作點值的方程式；
（2）畫出微變等效電路；
（3）計算電壓放大倍數(shù)；
（4）計算輸入電阻R_i及輸出電阻R_o。

電路如圖所示，求輸出電壓的表達式。