MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

晶體管正常使用過(guò)程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

MOS管可以分為4類(lèi)型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。