影響CVD質(zhì)量的因素有（）

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，Pd，Pt為面心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

在島的結(jié)合過程中，大島和小島相結(jié)合而部分消失，得到微晶具有（）的結(jié)晶取向。

完全光滑界面的生長是通過（）而進(jìn)行的。

適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

不屬于影響成核過程的因素有（）

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，K，Na金屬為體心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

陶瓷燒結(jié)按照（）的不同可分為固相燒結(jié)和液相燒結(jié)。

凝聚開始的條件主要取決于（）

膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。