在平界面凝固條件下，界面處液體內(nèi)實(shí)際溫度梯度應(yīng)（）液相熔點(diǎn)溫度分布的梯度。

在均勻形核過程中，當(dāng)過冷度過小時(shí)，形核率N主要受（）控制，隨著過冷度增加，臨界晶核半徑減??；當(dāng)過冷度繼續(xù)增大，盡管臨界晶核半徑也在減小，但由于原子在較低溫度下擴(kuò)散變得困難，此時(shí)形核率N主要受（）控制。

在枝晶生長過程中，二次枝晶臂由于它們的曲率不同，會(huì)造成各枝晶臂附近液相內(nèi)溶質(zhì)濃度的差別，枝晶曲率半徑愈小，附近液相溶質(zhì)濃度（）。

純金屬結(jié)晶時(shí)，晶核呈平面狀長大的條件是（）。

單晶硅中摻雜硼可以形成P型半導(dǎo)體，根據(jù)單晶成分和晶體特征分類，P型半導(dǎo)體屬于哪一類？（）

與立式鑄造法相比，水平鑄造法所具有的優(yōu)勢不包括（）。

結(jié)晶過程中形核數(shù)量多，長大速度慢會(huì)導(dǎo)致（）。

關(guān)于不規(guī)則共晶，下面論述錯(cuò)誤的為（）。

二元合金在進(jìn)行共晶反應(yīng)時(shí)為（）相平衡共存。

利用雙流澆注半連續(xù)鑄造裝置生產(chǎn)梯度材料材料的基本原理是在傳統(tǒng)的半連續(xù)鑄造基礎(chǔ)上增加（）。