A.隔熱墊
B.密閉艙室
C.一個(gè)內(nèi)澆包及其導(dǎo)流系統(tǒng)
D.結(jié)晶壁
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你可能感興趣的試題
A.獲得更高的鑄錠質(zhì)量
B.產(chǎn)生裂紋的幾率會(huì)降低
C.抑制氣體缺陷的產(chǎn)生
D.鑄造高速化
A.對(duì)鑄錠的直接水冷
B.對(duì)導(dǎo)流系統(tǒng)的冷卻
C.對(duì)內(nèi)澆包的冷卻
D.冷卻水對(duì)結(jié)晶壁的冷卻
A.垂直式
B.水平式
C.上引式
D.下引式
A.普通模鑄造
B.電磁連續(xù)鑄造法
C.熱頂鑄造法
D.隔熱模鑄造
A.粉末粒度不易精確控制
B.工藝復(fù)雜
C.設(shè)備昂貴
D.不可大量連續(xù)生產(chǎn)
最新試題
對(duì)于真空吸鑄，下面哪種說(shuō)法是正確的？（）
純金屬在等軸凝固的條件下，此時(shí)，由于結(jié)晶潛熱的放出，在晶體生長(zhǎng)前沿，液相內(nèi)部的溫度梯度為（），而在固相內(nèi)的溫度梯度為（）。
在均勻形核過(guò)程中，形成臨界晶核時(shí)體系的自由能（）；過(guò)冷度越（），形核越容易。
單晶硅中摻雜硼可以形成P型半導(dǎo)體，根據(jù)單晶成分和晶體特征分類，P型半導(dǎo)體屬于哪一類？（）
設(shè)在液相沒(méi)有對(duì)流只有擴(kuò)散的情況下，δN趨于無(wú)窮大，結(jié)晶溫度間隔越大，“成分過(guò)冷”的傾向越大則（）。
在枝晶生長(zhǎng)過(guò)程中，二次枝晶臂由于它們的曲率不同，會(huì)造成各枝晶臂附近液相內(nèi)溶質(zhì)濃度的差別，枝晶曲率半徑愈小，附近液相溶質(zhì)濃度（）。
下列哪項(xiàng)針對(duì)氣體霧化法描述是錯(cuò)誤的？（）
界面穩(wěn)定性的動(dòng)力學(xué)理論的主要研究不包括（）。
關(guān)于不規(guī)則共晶，下面論述錯(cuò)誤的為（）。
均勻形核發(fā)生所需要的過(guò)冷度大概為其熔點(diǎn)的（）倍。