單項(xiàng)選擇題純金屬結(jié)晶時(shí),晶核呈平面狀長(zhǎng)大的條件是()。

A.dT/dx>0
B.dT/dx<0
C.dT/dx=0
D.dT/dx≠0


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1.單項(xiàng)選擇題晶核長(zhǎng)大的機(jī)制不包括()。

A.借螺位錯(cuò)長(zhǎng)大
B.樹(shù)枝狀長(zhǎng)大
C.垂直長(zhǎng)大
D.二維形核長(zhǎng)大

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于非均勻形核,以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。

A.非均勻形核所需的臨界形核功比均勻形核小得多
B.無(wú)形核功,晶體可在已有固相表面長(zhǎng)大
C.實(shí)際金屬結(jié)晶過(guò)程中,通常發(fā)生的是非均勻形核
D.非均勻形核的臨界晶核的體積V比均勻形核的體積大得多

3.單項(xiàng)選擇題在均勻形核過(guò)程中,當(dāng)過(guò)冷度過(guò)小時(shí),形核率N主要受()控制,隨著過(guò)冷度增加,臨界晶核半徑減?。划?dāng)過(guò)冷度繼續(xù)增大,盡管臨界晶核半徑也在減小,但由于原子在較低溫度下擴(kuò)散變得困難,此時(shí)形核率N主要受()控制。

A.形核功;原子擴(kuò)散幾率因子
B.形核功因子;原子擴(kuò)散幾率因子
C.形核功;原子越過(guò)液固相界面的擴(kuò)散激活能
D.形核功因子;原子越過(guò)液固相界面的擴(kuò)散激活能

最新試題

純金屬結(jié)晶時(shí),晶核呈平面狀長(zhǎng)大的條件是()。

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單晶硅中摻雜硼可以形成P型半導(dǎo)體,根據(jù)單晶成分和晶體特征分類(lèi),P型半導(dǎo)體屬于哪一類(lèi)?()

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純金屬在等軸凝固的條件下,此時(shí),由于結(jié)晶潛熱的放出,在晶體生長(zhǎng)前沿,液相內(nèi)部的溫度梯度為(),而在固相內(nèi)的溫度梯度為()。

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在均勻形核過(guò)程中,當(dāng)過(guò)冷度過(guò)小時(shí),形核率N主要受()控制,隨著過(guò)冷度增加,臨界晶核半徑減??;當(dāng)過(guò)冷度繼續(xù)增大,盡管臨界晶核半徑也在減小,但由于原子在較低溫度下擴(kuò)散變得困難,此時(shí)形核率N主要受()控制。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題