單項(xiàng)選擇題本征激發(fā)體現(xiàn)了半導(dǎo)體的（）特性。
A.光敏性
B.熱敏性
C.摻雜性
D.光敏性和熱敏性
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1.單項(xiàng)選擇題在熱力學(xué)零度時(shí)，本征半導(dǎo)體相當(dāng)于（）。?
A.導(dǎo)體
B.超導(dǎo)體
C.絕緣體
D.半導(dǎo)體
2.單項(xiàng)選擇題在室溫下，本征半導(dǎo)體中的載流子數(shù)目（）。
A.很多
B.較多
C.較少
D.極少
3.單項(xiàng)選擇題在電子器件中，用的最多的半導(dǎo)體材料是硅，其原子序號(hào)為（）。?
A.4
B.14
C.24
D.32
最新試題
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用，和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
?10進(jìn)制計(jì)數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
MOSFET做放大器，要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
題型：判斷題
CD放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?????
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級(jí)原型的符號(hào)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大，溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
題型：判斷題
當(dāng)VGS=0時(shí)，能夠?qū)ǖ腗OS管為（）
題型：多項(xiàng)選擇題
?verilog語(yǔ)法中，間隔符號(hào)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題