A.數(shù)學模型
B.恒壓降模型
C.折線模型
D.理想二極管模型
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A.數(shù)學模型
B.理想二極管模型
C.折線模型
D.恒壓降模型
A.直流量
B.交流量
C.瞬時量
D.正弦量有效值的相量
?固定偏置共射放大電路輸出特性曲線和直流、交流負載線如圖所示,由此可確定集電極電阻Rc為()
A.1kΩ
B.2kΩ
C.3kΩ
D.4kΩ
A.正弦波
B.削底波形
C.削頂波形
D.雙向失真波形
?基本共射放大電路的輸出特性曲線和直流、交流負載線如圖所示,由此可得出負載電阻的大小是()。
A.1kΩ
B.2kΩ
C.3kΩ
D.4kΩ
最新試題
?數(shù)字頻率計采用4個數(shù)字的BCD碼計數(shù)器,若采樣時間0.01s,那么它能夠測量的最大頻率是多少?()
?6位7段數(shù)碼管動態(tài)顯示模塊如圖,要求人眼看到所有數(shù)碼管同時顯示各自對應(yīng)的數(shù)字,控制數(shù)碼管位選信號的動態(tài)掃描時鐘信號頻率約為多少?()
以下哪個MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級??()
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合,則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時,柵極直流電壓將會(),漏極直流電流將會(),輸入電阻將會()。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時,溝道夾斷點向漏極移動。
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個加數(shù),ci為來自低位的進位,sum為和,co為向高位的進位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義:下面通過層次調(diào)用的方式進行邏輯實現(xiàn)中的表達式正確的是()。
已知某N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
?CS、CG和CD三種組態(tài)中,最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為()。
用作電壓放大器時,CS放大器不合適的參數(shù)為()。?