?固定偏置共射放大電路輸出特性曲線和直流、交流負(fù)載線如圖所示，由此可確定集電極電阻Rc為（）
A.1kΩ
B.2kΩ
C.3kΩ
D.4kΩ
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A.正弦波
B.削底波形
C.削頂波形
D.雙向失真波形
?基本共射放大電路的輸出特性曲線和直流、交流負(fù)載線如圖所示，由此可得出負(fù)載電阻的大小是（）。
A.1kΩ
B.2kΩ
C.3kΩ
D.4kΩ
?測得放大電路中晶體管各電極電位如圖所示，該管的電極從左到右依次為（）。
A.c、b、e
B.c、e、b
C.b、e、c
D.e、b、c
基本共射放大電路輸出特性曲線及放大電路的交流、直流負(fù)載線如圖所示。該電路最大不失真輸出電壓的幅值是（）V。
A.10
B.6
C.4
D.2
在如圖所示的交流通路中，輸出電壓可表示為（）
A.A
B.B
C.C
D.D
最新試題
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?
?CS、CG和CD三種組態(tài)中，最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
?數(shù)字頻率計設(shè)計中的測頻計數(shù)模塊共有多少個狀態(tài)？（）
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時，柵極直流電壓將會（），漏極直流電流將會（），輸入電阻將會（）。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動。
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進(jìn)行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會（），漏極交流電壓將會（），增益將會（）。
?6位7段數(shù)碼管動態(tài)顯示模塊如圖，要求人眼看到所有數(shù)碼管同時顯示各自對應(yīng)的數(shù)字，控制數(shù)碼管位選信號的動態(tài)掃描時鐘信號頻率約為多少？（）