單項(xiàng)選擇題NEMOSFET飽和區(qū)的工作條件為uGS（）Vt，uDS（）uGS-Vt。
A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉
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1.單項(xiàng)選擇題?MOSFET中的導(dǎo)電溝道是指其（）?
A.金屬層
B.耗盡層
C.反型層
D.氧化層
4.多項(xiàng)選擇題?在下述幾種擊穿現(xiàn)象中，哪些擊穿是可逆的？???（）
A.熱擊穿
B.齊納擊穿
C.雪崩擊穿
D.以上都可以
5.多項(xiàng)選擇題下列哪些信號(hào)可以作為模擬電路的處理對象？（）?
A.正弦信號(hào)
B.三角波信號(hào)
C.格雷碼信號(hào)
D.數(shù)字圖像信號(hào)
最新試題
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
用作電壓放大器時(shí)，CS放大器不合適的參數(shù)為（）。?
題型：單項(xiàng)選擇題
?已知Nexys4開發(fā)板外部時(shí)鐘信號(hào)頻率為100MHz，數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)頻率為1Hz，若采用計(jì)數(shù)器對100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號(hào)，請問該計(jì)數(shù)器至少需要多少位？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
?CD放大器的性能特征有（）。?
題型：多項(xiàng)選擇題
?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)（），漏極交流電壓將會(huì)（），增益將會(huì)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
MOSFET做放大器，要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
題型：判斷題
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
?CS、CG和CD三種組態(tài)中，最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
題型：判斷題
?在使用verilog描述一個(gè)二選一的數(shù)據(jù)選擇器時(shí)，使用一條語句來進(jìn)行描述assign out1=（sel &b）∣（~sel &a），這條語句對應(yīng)的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題