A.死區(qū)電壓為0.1V,正向?qū)妷簽?.3V
B.死區(qū)電壓為0.3V,正向?qū)妷簽?.5V
C.死區(qū)電壓為0.5V,正向?qū)妷簽?.7V
D.死區(qū)電壓為0.7V,正向?qū)妷簽?.9V
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A.PN結(jié)面積小,適用于高頻情況
B.PN結(jié)面積大,適用于高頻情況
C.PN結(jié)面積小,適用于低頻情況
D.PN結(jié)面積大,適用于低頻情況
A.反向
B.擊穿
C.擊穿反向
D.反向擊穿
下列關(guān)于PN結(jié)伏安特性方程中,正確的是()。?
A.A
B.B
C.C
D.D
A.26V
B.2.6V
C.26mV
D.2.6mV
A.P端電位高,N端電位低
B.N端電位高,P端電位低
C.P端與N端電位相同
D.P、N兩端電位高低不確定
最新試題
可以通過(guò)新增以下哪些類(lèi)型文件添加ChipScope調(diào)試IP核?()
I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過(guò)電容耦合進(jìn)行傳輸(注意圖中未畫(huà)出電容),要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門(mén)級(jí)原型的符號(hào)有()。
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用,和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有()。
?在使用verilog描述一個(gè)二選一的數(shù)據(jù)選擇器時(shí),使用一條語(yǔ)句來(lái)進(jìn)行描述assign out1=(sel &b)∣(~sel &a),這條語(yǔ)句對(duì)應(yīng)的是()。
CD放大器具有較()的輸入電阻和較()的輸出電阻。?????
一塊通用面包板,公共條是三?四?三分段連通型,那么這塊板上最多有()個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
?10進(jìn)制計(jì)數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊?()
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為()。