A.是通過觸診或影像學(xué)檢查確定的腫瘤細(xì)胞集中的體積
B.可以是原發(fā)病灶
C.可以使轉(zhuǎn)移的淋巴結(jié)
D.包含潛在的受侵犯組織
E.是與照射技術(shù)有關(guān)的區(qū)域
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.隨著電子束能量的增加,其表面劑量降低、高劑量坪區(qū)變窄、劑量跌落梯度增加,并且X線污染減小
B.隨著電子束能量的增加,其表面劑量降低、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少,并且X線污染增加
C.隨著電子束能量的增加,其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少,并且X線污染增加
D.隨著電子束能量的增加,其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變窄、劑量跌落梯度增加,并且X線污染增加
E.隨著電子束能量的增加,其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少,并且X線污染減小
A.0.2mm
B.0.5mm
C.1.0mm
D.1.5mm
E.2.0mm
A.以DNA雙鍵斷裂造成細(xì)胞死亡為理論依據(jù)
B.兩個不同電離粒子不能協(xié)同作用來殺死細(xì)胞
C.建立在上皮和皮下組織放射耐受性的基礎(chǔ)上,主要適用于5~30次分割照射范圍
D.α/β比值受所選擇的生物效應(yīng)水平的影響,因而不能反映早期反應(yīng)組織和晚期反應(yīng)組織以及腫瘤對劑量反應(yīng)的差別
E.是靶理論模型的一種
A、指形電離室的靈敏體積通常為0.1~1.5cm3
B、指形電離室由靜電極、測量極和保護極組成
C、指形電離室一般不用于測量表面劑量
D、指形電離室通常用來校準(zhǔn)中高能X線以及4MeV以上的電子線
E、指形電離室?guī)в袠?biāo)準(zhǔn)厚度的平衡帽,其目的是為了增加靈敏體積內(nèi)的電子數(shù)目
A.DVH能顯示體積和劑量的關(guān)系
B.最佳的治療計劃應(yīng)使處方劑量包繞PTV
C.計劃評估主要是觀察劑量分布
D.DVH能夠很好地顯示靶區(qū)和危及器官的空間劑量分布信息
E.主要器官內(nèi)受照射體積與最大劑量間的關(guān)系
最新試題
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
實際患者治療時,無環(huán)重定位技術(shù)的靶點位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時,應(yīng)采用雙平面插植。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達(dá)式是()。
關(guān)于組織補償?shù)拿枋觯e誤的是()。
質(zhì)子束的優(yōu)勢在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
關(guān)于曼徹斯特系統(tǒng)的描述錯誤的是()。