A.0.2mm
B.0.5mm
C.1.0mm
D.1.5mm
E.2.0mm
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你可能感興趣的試題
A.以DNA雙鍵斷裂造成細胞死亡為理論依據(jù)
B.兩個不同電離粒子不能協(xié)同作用來殺死細胞
C.建立在上皮和皮下組織放射耐受性的基礎(chǔ)上,主要適用于5~30次分割照射范圍
D.α/β比值受所選擇的生物效應(yīng)水平的影響,因而不能反映早期反應(yīng)組織和晚期反應(yīng)組織以及腫瘤對劑量反應(yīng)的差別
E.是靶理論模型的一種
A、指形電離室的靈敏體積通常為0.1~1.5cm3
B、指形電離室由靜電極、測量極和保護極組成
C、指形電離室一般不用于測量表面劑量
D、指形電離室通常用來校準中高能X線以及4MeV以上的電子線
E、指形電離室?guī)в袠藴屎穸鹊钠胶饷?,其目的是為了增加靈敏體積內(nèi)的電子數(shù)目
A.DVH能顯示體積和劑量的關(guān)系
B.最佳的治療計劃應(yīng)使處方劑量包繞PTV
C.計劃評估主要是觀察劑量分布
D.DVH能夠很好地顯示靶區(qū)和危及器官的空間劑量分布信息
E.主要器官內(nèi)受照射體積與最大劑量間的關(guān)系
A.加速電子能量
B.加速電子強度
C.電子偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)
D.準直系統(tǒng)設(shè)計
E.靶和均整器材料
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
E.5%
最新試題
伽瑪?shù)栋悬c位置精度高于X射線立體定向治療系統(tǒng)的精度。
準直器所產(chǎn)生的散射線對劑量的貢獻主要源于二級準直器。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時,應(yīng)采用雙平面插植。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
治療證實是治療準確執(zhí)行的重要保證,包括驗證記錄系統(tǒng),射野影像系統(tǒng),活體劑量測量系統(tǒng)。
關(guān)于組織補償?shù)拿枋?,錯誤的是()。
影響靶點位置精確度的因素包括機械精度,定位精度和擺位精度。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達到()。
實際患者治療時,無環(huán)重定位技術(shù)的靶點位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。