問(wèn)答題

用符號(hào)“>”把下面的數(shù)按從大到小的順序“連接”起來(lái)   
[X1]補(bǔ)=10110111
[X2]原=10110111
[X3]反=1011011
[X4]補(bǔ)=10110110
[X5]無(wú)符號(hào)數(shù)=10110111


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2.單項(xiàng)選擇題SRAM和DRAM存儲(chǔ)原理不同,它們分別靠()來(lái)存儲(chǔ)0和1的。

A.雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個(gè)穩(wěn)態(tài)和極間是否有足夠的電荷
B.內(nèi)部熔絲是否斷開(kāi)和雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.極間電荷和浮置柵是否積累足夠的電荷
D.極間是否有足夠的電荷和雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個(gè)穩(wěn)態(tài)

5.單項(xiàng)選擇題存儲(chǔ)周期指的是()。

A.存儲(chǔ)器進(jìn)行連續(xù)讀或?qū)懖僮魉试S的最短時(shí)間間隔
B.存儲(chǔ)器的讀出周期
C.存儲(chǔ)器進(jìn)行連續(xù)寫(xiě)操作所允許的最短時(shí)間間隔
D.存儲(chǔ)器的寫(xiě)入周期