單項(xiàng)選擇題掩膜ROM在制造時通過光刻是否連接MOS管來確定0和1，如果對應(yīng)的某存儲單元位沒有連接MOS管，則該位信息為（）。
A.不確定
B.0
C.1
D.可能為0，也可能為1
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1.單項(xiàng)選擇題某一EPROM芯片，其容量為32K×8，除電源和地線外，最小的輸入引腳和輸出引腳分別為（）。
A.15和8
B.32和8
C.17和8
D.18和10
2.單項(xiàng)選擇題存儲周期指的是（）。
A.存儲器進(jìn)行連續(xù)讀或?qū)懖僮魉试S的最短時間間隔
B.存儲器的讀出周期
C.存儲器進(jìn)行連續(xù)寫操作所允許的最短時間間隔
D.存儲器的寫入周期
最新試題
說明ROM、RAM的區(qū)別和聯(lián)系。
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編程：用8255A的端口A連接撥碼開關(guān)，端口B連接LED，輸入撥碼開關(guān)的狀態(tài)，并據(jù)此控制LED的顯示。
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依次執(zhí)行下述指令序列，請在空白處填上當(dāng)左邊指令執(zhí)行完時該寄存器的值。
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簡述中斷處理子程序的結(jié)構(gòu)模式。
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簡述用匯編語言進(jìn)行程序設(shè)計的步驟。
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用8255的PA口控制8個指示燈，前4個指示燈與后4個指示燈交替亮滅（頻率可自己確定）。請給出相應(yīng)的匯編語言源程序。
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已知堆棧指針SP的初值為2000H，AX=3000H，BX=5000H，現(xiàn)連續(xù)執(zhí)行下列3條指令，執(zhí)行后，（SP）=（），（AX）=（），（BX）=（）。
題型：填空題
當(dāng)下列程序執(zhí)行完后，AL、BX、DI、DS四個寄存器的內(nèi)容分別是什么？假定存儲器從2000H開始的內(nèi)容分別為：[2000H]=04H，[2001H]=02H，[2003H]=06H，
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閱讀下面的程序，指出該程序完成的功能。
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簡述可屏蔽中斷的響應(yīng)過程。
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