單項(xiàng)選擇題雙端口存儲(chǔ)器與普通存儲(chǔ)器的差異是()

A.存儲(chǔ)周期更短
B.字長(zhǎng)更寬
C.有兩個(gè)訪問端口


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1.單項(xiàng)選擇題下列不能縮小內(nèi)存與CPU之間速度差異的是()

A.CPU中增加通用寄存器
B.CPU和內(nèi)存間增加Cache
C.采用雙端口存儲(chǔ)器
D.采用動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)

2.單項(xiàng)選擇題若用1M*4位的存儲(chǔ)芯片組成64MB的存儲(chǔ)器,需要這種芯片多少個(gè)()

A.64個(gè)
B.64M個(gè)
C.128個(gè)
D.32個(gè)

3.單項(xiàng)選擇題位擴(kuò)展法用來擴(kuò)展存儲(chǔ)器的()

A.容量
B.字長(zhǎng)
C.容量和字長(zhǎng)
D.存取速度

4.單項(xiàng)選擇題字?jǐn)U展法用來擴(kuò)展存儲(chǔ)器的()

A.容量
B.字長(zhǎng)
C.容量和字長(zhǎng)
D.存取速度

5.單項(xiàng)選擇題E2PROM是指()

A.掩膜只讀存儲(chǔ)器
B.可編程只讀存儲(chǔ)器
C.可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器
D.電可擦除只讀存儲(chǔ)器

最新試題

()又稱字選法,所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器是字結(jié)構(gòu)的。

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刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和()之間的矛盾。

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計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是可以分層的,在某級(jí)觀察者角度看到的機(jī)器被稱為(),只需要通過該級(jí)語言來了解和使用。

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RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。

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在堆棧計(jì)算機(jī)中,保存操作數(shù)和運(yùn)算結(jié)果的唯一場(chǎng)所是()。

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若I/O類指令采用獨(dú)立編址,對(duì)系統(tǒng)帶來的影響主要是()。

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在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級(jí)層次結(jié)構(gòu)中,用機(jī)器指令編寫的程序可以由()進(jìn)行解釋。

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柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。

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()又稱為萬國(guó)碼,是由許多語言軟件制造商聯(lián)盟制定的可以容納世界上所有文字和符號(hào)的字符編碼方案。

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動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲(chǔ)信息的。

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