單項(xiàng)選擇題E2PROM是指()

A.掩膜只讀存儲(chǔ)器
B.可編程只讀存儲(chǔ)器
C.可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器
D.電可擦除只讀存儲(chǔ)器


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1.單項(xiàng)選擇題MROM是指()

A.掩膜只讀存儲(chǔ)器
B.可編程只讀存儲(chǔ)器
C.可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器
D.電可擦除只讀存儲(chǔ)器

2.單項(xiàng)選擇題下列哪一種信號(hào)為片選信號(hào)()

A.WE
B.CS
C.CAS
D.RAS

3.單項(xiàng)選擇題下列哪一種刷新方式具有不存在死時(shí)間,刷新占用時(shí)間少的特點(diǎn)()

A.集中式
B.分散式
C.異步刷新
D.同步刷新

4.單項(xiàng)選擇題下列不能作為存儲(chǔ)元件的是()

A.觸發(fā)器
B.電容
C.晶體管
D.計(jì)數(shù)器

5.單項(xiàng)選擇題主存儲(chǔ)器不包含的部件是()

A.地址譯碼器
B.讀寫電路
C.地址寄存器
D.標(biāo)志寄存器

最新試題

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)(1)對(duì)于同一個(gè)數(shù)值,它的()與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同,符號(hào)位相反。(2)浮點(diǎn)數(shù)用()表示數(shù)據(jù)。(3)小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動(dòng)的數(shù)據(jù)稱為()。(4)浮點(diǎn)數(shù)的溢出,是由其()是否溢出表現(xiàn)出來的。(5)在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位,將最高位的1移走,從而提高數(shù)值的精度,這項(xiàng)處理稱之為()。

題型:問答題

若I/O類指令采用獨(dú)立編址,對(duì)系統(tǒng)帶來的影響主要是()。

題型:單項(xiàng)選擇題

已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。

題型:單項(xiàng)選擇題

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是可以分層的,在某級(jí)觀察者角度看到的機(jī)器被稱為(),只需要通過該級(jí)語言來了解和使用。

題型:單項(xiàng)選擇題

寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示,正確結(jié)果為()。

題型:單項(xiàng)選擇題

柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。

題型:單項(xiàng)選擇題

在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲(chǔ)器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問、低功耗和大容量?()

題型:單項(xiàng)選擇題

存儲(chǔ)器堆棧需要設(shè)置一個(gè)專門的硬件寄存器,稱為(),而寄存器堆棧則沒有。

題型:單項(xiàng)選擇題

計(jì)算機(jī)的I/O接口是()之間的交接界面。

題型:單項(xiàng)選擇題

在堆棧計(jì)算機(jī)中,保存操作數(shù)和運(yùn)算結(jié)果的唯一場(chǎng)所是()。

題型:單項(xiàng)選擇題