A.WE
B.CS
C.CAS
D.RAS
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.集中式
B.分散式
C.異步刷新
D.同步刷新
A.觸發(fā)器
B.電容
C.晶體管
D.計(jì)數(shù)器
A.地址譯碼器
B.讀寫電路
C.地址寄存器
D.標(biāo)志寄存器
A.cache>主存>光盤>磁盤
B.cache>磁盤>主存>光盤
C.cache>主存>磁盤>光盤
D.cache>光盤>磁盤>主存
A.1TB=1024GB
B.1MB=1024KB
C.1PB=1024TB
D.1PB=1024EB
最新試題
將十六進(jìn)制數(shù)(2BA)16化成十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。
計(jì)算機(jī)中機(jī)器訪問的最小單位被稱為()。
柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
將十六進(jìn)制數(shù)(1A5)16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。
在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲(chǔ)器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問、低功耗和大容量?()
寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示,正確結(jié)果為()。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
軟件堆棧在工作中()移動(dòng)。
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級(jí)層次結(jié)構(gòu)中,用機(jī)器指令編寫的程序可以由()進(jìn)行解釋。